中國製DUV生產65奈米晶片硬扯8奈米 遭中外媒體打臉

記者林宸誼/即時報導

中國工信部9月初公布的「首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)」的通知中,列出全新自製DUV曝光機,分辨率為≤65nm,套刻精度≤8nm,讓許多中國民眾樂翻,高喊中國突破美國封鎖,「可生產8奈米晶片」。

沒想到卻慘遭中外媒體打臉,認為此款新的DUV曝光機僅能生產65奈米或以下晶片,有人看到「套刻≤ 8nm」就認為這是8奈米曝光機,令人啼笑皆非。

中國科技媒體「芯智訊」報導,根據中國工信部公布的資料顯示,「積體電路生產裝備」項目列出氟化氪曝光機和氟化氬曝光機,氟化氪曝光機就是老式的248奈米光源的KrF曝光機,分辨率為≤110nm,套刻精度≤25nm;氟化氬曝光機則是193奈米光源的ArF曝光機(DUV曝光機),但揭露的這款仍是乾式DUV曝光機,而非更先進的浸沒式DUV曝光機(也稱為ArFi曝光機)。

從工信部揭露的參數來看,此DUV曝光機解析度為≤65nm,套刻精度≤8nm。雖然相比之前上微的SSA600曝光機有所提升(解析度為90nm),仍並未達到可以生產28奈米晶片的程度,更達不到製造什麼8奈米、7奈米晶片的程度,許多網友直接把套刻精度跟曝光製程節點水平搞混。

報導指出,65nm的分辨率,代表能夠達到的製程節點大概就是「65奈米」左右。有人一看到「套刻≤ 8nm」就認為是8奈米曝光機,令人啼笑皆非。

套刻精度則指的是每一層曝光層之間的對準精度。眾所周知,晶片的製造過程,是將很多層的曝光圖案一層一層的實現,並堆疊而成。一層圖案曝光完成後,需要再在上面繼續進行下一層圖案的曝光,而兩層之間需要精準對準,這個對準的精度就是套刻精度,並不是指能夠製造的晶片的工藝製程節點。

中國製DUV生產65奈米晶片硬扯8奈米 遭中外媒體打臉。(路透)

科技媒體「WccfTech」則認為,中國新公布國產DUV曝光機至少落後美國15年,因為荷蘭半導體設備巨擘 ASML 的客戶,至少在 2009 年就可以透過ArF 曝光機生產晶片。

晶片 SSA

推薦文章

留言