美半導體補貼規則拍板 廠商禁在中、俄擴產

商務部22日公布補貼半導體製造業者的最終規則，限制獲得補貼的廠商在中國、俄羅斯及其他令美國產生國安疑慮的國家擴張半導體產能，並規定這些廠商不得與這類國家的機構進行共同研究或科技授權，為拜登政府依據「晶片與科學法」動支390億元補貼前清除最後一道障礙。接受補貼的廠商若違反規則，商務部可收回補貼。

綜合路透與等媒體報導，商務部公布的最終規則規定，接受補貼的廠商在十年之內，禁止在這類國家大幅(significant)擴張尖端及先進半導體製造產能：先進晶片產能不得擴充逾5%，28奈米以上成熟製程晶片不得擴產10%。

獲得補貼業者，不能新增無塵室或其他實體空間產能。商務部原先只限制生產能力，但業者表示每月產能變化甚大，因此限制無塵室及其他設施的規模是比較適當的衡量標準。

最終規則也擴大管制領域，明訂晶圓與基板(substrate)生產，皆屬於半導體製造範圍。

此外，廠商與上述那類國家的機構從事共同研究及科技授權也受限制，但容許國際標準、專利授權，以及利用晶圓廠及封裝服務等合作。

雖然原本規定允許企業在有限情況下，在這類國家擴產成熟製程晶片，但22日發布的最終規則，將一系列半導體都畫分為攸關國安，因而受到更嚴格管制，例如在輻射密集環境下用於量子運算的當前一代和成熟製程晶片，以及其他專業軍用晶片，都納入更嚴格管制。

商務部也將原計畫中一些更嚴格管制措施刪除。例如之前晶片計畫處打算對廠商在中國投資先進產能的上限訂在10萬元，進而使廠商完全無法在當地擴張比28奈米更先進的晶片產能，先前會如此規定，是把10萬元納入「大幅」的定義。

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影片來源：世界新聞網 一洲焦點