南韓記憶體巨頭搶用中企技術 恐引美關注制裁

南韓媒體披露，繼三星電子之後，SK海力士的下一代NAND快閃記憶體晶片的核心專利，需要依賴中國業者授權，因此預計SK海力士也將與長江存儲（YMTC）簽署專利協議，這也是韓系記憶體廠商再度使用中廠專利技術。

據韓媒「ZDNet Korea」報導稱，三星電子近期已與長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的「混合鍵合」（Hybrid Bonding）技術的專利授權合約，以便從其第10代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行製造。

除了三星，「ZDNet Korea」還強調，南韓另一大記憶體晶片巨頭SK海力士的下一代NAND快閃記憶體晶片的核心專利，也需要依賴中國，預計SK海力士也將與長江存儲簽署專利協議。

報導稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取「混合鍵合」專利授權，主要由於目前長江存儲在該技術方面處於全球領先地位。並且三星經過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經無法再避免長江存儲專利的影響。

對此，中華經濟研究院第二研究所暨日本中心副主任江泰槿表示，三星電子、SK海力士要與中國記憶體晶片龍頭長江存儲簽署專利協議，主要可能涉及AI晶片或邊緣計算。

江泰槿指出，南韓媒體此次披露，這很有可能會引起美國注意並間接導致川普對記憶體領域發起制裁，並加強對長江存儲技術限制；而台廠由於跟SK海力士買記憶體晶片，後續可能要注意是否會觸及美國禁令，導致供應鏈洗牌。

中媒「芯智訊」指出，目前混合鍵合技術專利主要被Xperi、長江存儲和台積電所掌控。但是，Xperi這家公司主要是做技術許可，而台積電也主要是做邏輯晶片製造，顯然長江存儲在3D NAND研發製造過程當中所積累的混合鍵合技術專利對於其他3D NAND製造商來說，想要規避可能將面臨更大的挑戰。

江泰槿指出，目前依已揭露資訊顯示，混合鍵結技術是由長江存儲向美國專利授權公司Xperi，簽署協議後獲得原始專利。並於2020年推出「Xtacking」架構，於此基礎建立許多衍生技術專利，目前已成為突破3D NAND技術壁壘的核心。該技術透過分層設計實現了更高的整合密度與良率，而三星此次選擇直接授權，而非自主研發或規避專利，凸顯了對技術可行性的務實考量。