突破美制裁 長鑫存儲論文展示GAA技術 適用3奈米晶片
中國記憶體DRAM晶片製造商長鑫存儲（CXMT），在舊金山舉行的第69 屆IEEE 國際電子元件年會（IEDM）上發表了一篇論文，展示了環繞式閘極結構（Gate-All-Around，GAA）技術，適用於尖端3奈米級晶片。
南華早報報導，雖然長鑫存儲尚未提供樣品產品，但這家公司提供的下一代記憶體晶片生產的證據，引起了行業分析師的關注，因為此類晶片的設計通常涉及受美國出口限制的技術。
台灣華邦電子的儲存晶片專家Frederick Chen 表示，長鑫存儲的進展證據「令人印象深刻」，因為代表這家公司距離最先進的研究和技術並不遙遠。「因為三星電子正在嘗試做同樣的事情。」
長鑫存儲發表聲明稱，該論文「描述了與 DRAM 結構和 4F2 設計可行性相關的基礎研究」，「與長鑫存儲當前的生產工藝無關」，暗示該設計紙張還遠未成為一種適銷對路的產品。
「任何關於長鑫存儲違反美國制裁或出口管制的指控都是完全不準確的。」該公司的出口管制專家表示，「我們堅信，IEDM尋求促進的思想自由流動對於行業的創新和發展至關重要。」
長鑫存儲兩周前發布，已生產出中國首款低功耗雙倍資料速率5（LPDDR5）DRAM晶片，縮小了與南韓三星和SK海力士等領先廠商的差距。
在與中國不斷升級的科技戰中，美國工業和安全局10月對關鍵晶片製造所需的一系列設備，設定了更高的出口標準，包括曝光、蝕刻、沉積、注入和清潔，加倍限制中國的晶片製造能力。
長鑫存儲成立於2016年，代表中國在全球DRAM市場追趕南韓記憶體晶片巨頭三星電子、SK海力士以及美國美光科技的最大希望。
總部位於舊金山的半導體研究公司SemiAnalysis 的首席分析師帕特爾（Dylan Patel）在X上的一篇帖子中，承認了CXMT 的論文，稱該公司在最先進的晶體管架構方面取得的進展「打破了美國的制裁」。
Patel 強調了該論文的摘錄，其中指出：「我們已經成功製造了環繞式閘極結構
（Gate-All-Around，GAA）電晶體，……並使用六角形電容器來實現緊湊的……DRAM架構。」
2022年8月，美國商務部對4項半導體相關技術實施出口管制，其中包括專門為開發具有環繞閘極場效電晶體（GAAFET）結構的積體電路（IC）而設計的軟體。
這4種技術也受到1996年多邊「瓦聖納協定」的保護，中國不是該成員。
自實施管制以來，分析師表示，電子設計自動化（EDA）軟體限制將影響中國開發先進3奈米製程設計和製造的能力。但中國已經證明了自己的韌性，華為技術公司今年稍早推出了支持5G 功能的Mate 60 Pro智慧型手機，採用中國國產晶片，令世界驚嘆不已。
華盛頓郵報先前報導，長鑫存儲也一直在開發高頻寬記憶體（HBM）晶片，這種記憶體已越來越多地被人工智慧應用採用，以提高記憶體堆疊和處理器之間的資料傳輸速度。
GAA的研究可以追溯到2000年。GAA被認為對下一代邏輯晶片的開發非常重要，因為它可以實現晶體管的持續微縮，這代表在IC上封裝更多的晶體管，這是台積電等全球代工廠領先的晶片製程，和三星的技術進一步低於3奈米。
三星去年6月宣布3奈米GAA技術量產，並號稱3奈米GAA彎道超車台積電量產，至今已超過1年仍乏人問津，被外界嘲諷大客戶方面不如台積電。
該技術需要專門的 EDA 軟體，而中國在這一領域落後於全球同行。工程師需要此類軟體來設計IC，該市場由美國公司 Cadence Design Systems、Synopsis 和 Mentor Graphics 主導。
與此同時，彭博引述知情人士的話報導，長鑫存儲將推遲首次公開募股，並將考慮以約人民幣1,400億元（200億美元）的估值籌集資金，成為最新一家被叫停的中國公司。由於市場狀況波動而取消首次亮相。
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