ASML強敵？哈工大研發出13.5奈米極紫外光曝光機心臟

中國哈爾濱工業大學日前在官方新聞網宣布，「放電等離子體極紫外光刻光源」兩個項目獲得獲黑龍江省高校和科研院所職工科技創新成果轉化大賽一等獎。也就是被譽為「曝光機心臟」的極紫外（EUV）光源技術有了突破。

中華經濟研究院第二研究所國際鏈結組副組長江泰槿23日表示，由於美國持續制裁中國，迫使中國不得不在製程微縮、封裝技術及新材料開發方面尋求突破，而曝光機屬於製成微縮的部分，這代表中國想要繞過艾司摩爾（ASML）自己開發極紫外光（EUV）曝光機光源，但現階段仍屬於實驗室等級，開發成本相當高，短期量產機率不高。」

哈爾濱工業大學新聞網報導，這項名為「放電等離子體極紫外光刻光源」的專案，由航太學院的趙永鵬教授研發。該項目「具有高能量轉換效率、低成本、緊湊體積以及相對較低的技術難度」等優勢。

可提供中心波長為13.5奈米的極紫外光，能夠滿足極紫外光刻市場對光源的迫切需求，為推動中國極紫外光刻領域發展、解決高階製造領域關鍵問題作出了貢獻。

在半導體行業中，曝光機是最複雜且最難製造的設備之一，有極紫外光（EUV）與深紫外光（DUV）之分，其中極紫外光（EUV）曝光機製造技術要求很高，是中國的技術短板。中國的科研院所與高校一直進行科技攻關，解決製造技術上的難題。

目前只有極紫外（EUV）曝光機能夠生產小於7奈米的晶片，而當前全球唯一能夠製造極紫外光（EUV）曝光機的公司是荷蘭的艾司摩爾（ASML）。但在美國壓力下，自2019年以來，艾司摩爾（ASML）就已被禁止，向中國出售最先進的設備。

隸屬於中國工信部的哈工大，始建於1920年，當時校名為哈爾濱中俄工業學校採俄語授課，建校的宗旨是為俄國控制的中東鐵路培養工程技術人才，目前擁有哈爾濱、威海、深圳三個校區，是一所以理工為主，理、工、管、文、經、法、藝等多學科協調發展的重點大學，已故台灣前行政院長孫運璿也畢業於哈工大。