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魏哲家密訪ASML 外媒:台積電不買High-NA EUV立場鬆動?

圖為英特爾晶圓廠內的High NA EUV。(路透)
圖為英特爾晶圓廠內的High NA EUV。(路透)

台積電先前一再表示,半導體設備製造商艾司摩爾(ASML)的高數值孔徑極紫外光機台(High-NA EUV),太過昂貴,2026年前使用沒有太大的經濟效益,但近來台積總裁魏哲家密訪ASML總部,讓外界不禁猜測,台積是否改變心意。

綜合科技媒體wccftech和韓媒BusinessKorea報導,消息人士指出,魏哲家缺席23日登場的台積電2024年技術論壇台灣場,於26日造訪了ASML荷蘭總部,以及工業雷射公司創浦(TRUMPF)的德國總部。

金融分析師奈斯泰德(Dan Nystedt) 28日在X平台發文寫道,台積似乎加入追逐下一世代EUV設備之戰,即High-NA EUV機台,理由是魏哲家訪問ASML與雷射供應商創浦,而非參與在台灣舉行的技術論壇。據傳魏哲家的到訪,顯示台積想買High-NA EUV,此種設備對2奈米以下製程極為關鍵。ASML去年12月已出貨首台High-NA EUV給英特爾。

相關人士分析,台積管理層似乎決定拜訪ASML,以確保在全球半導體的主導地位。台積原本打算在2026年下半量產1.6奈米製程後,再導入High-NA EUV。

台積的競爭對手英特爾和三星電子,都已有所行動。英特爾想藉著High-NA EUV,達到難以超越的領先優勢。最先出貨的幾台High-NA EUV,都送往英特爾的晶圓代工部門。英特爾想先在1.8奈米試用此種設備,之後正式導入於1.4奈米製程。

三星集團會長李在鎔則在4月親訪ASML關鍵伙伴蔡司(Carl Zeiss)的德國總部,拜會ASML執行長傅凱與蔡司執行長蘭普雷希特,以強化三方的半導體聯盟。EUV不只用於2奈米晶圓代工,也用於生產最先進的DRAM,三星為此重押High-NA EUV技術。

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