突破美國科技管制 中製EUV今年第3季試產

消息人士透露，中國研發出自家的極紫外光（EUV）微影設備，採用與荷蘭半導體設備製造巨擘艾司摩爾（ASML）不同的技術，設計更簡單、更有效率，預定今年第3季試產，明年量產。倘若消息為真，意味中國在突破美國科技管制上，邁出大步。

科技媒體wccftech報導，據@zephyr_z9和@Ma_WuKong在X平台的發文，華為正在廣東東莞工廠測試新設備，這款客製化EUV機台，採用「雷射誘導放電電漿」（LDP） 技術，預計今年第3季試產，並可能在明年實際放量生產。

中製機台採用的LPD技術，能生成波長為13.5奈米的EUV光，作法是將電極間的錫汽化，再透過高壓放電將其轉成電漿，並用電子離子的碰撞，產生所需波長。這種作法與ASML不同，ASML使用「雷射產生電漿」（LPP）技術，仰賴高能量雷射與複雜的可編程閘陣列控制。據試產報告，陸製原型機的設計更小更簡單，用電量較少、製造成本也較低。

ASML受限於美國禁令，無法出售最先進的EUV給中廠，中芯只能仰賴深紫外光（DUV）設備，DUV波長達193~248奈米，遠遠不及EUV的13.5奈米。中芯要製造先進製程晶片，得要重複曝光，這不只提高了晶圓生產成本，也相當費時。外界估計中芯的5奈米晶片，生產成本比台積電的5奈米貴了50%。

受此影響，華為的麒麟處理器仍停留在7奈米。如果中國真能打造出EUV機台，華為將可縮小與蘋果、高通等的差距。

ASML是全球唯一的EUV生產商，每部機台有超過10萬個零件。目前還無法確認爆料者說法的真實性，而EUV開發不易，中廠的進展也可能會有更多阻礙。