長鑫存儲新技術 適用尖端3奈米級晶片

中國記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT），在舊金山舉行的第69屆IEEE國際電子元件年會（IEDM）上發表論文，展示環繞式閘極結構（Gate-All-Around，GAA）技術，適用於尖端3奈米級晶片，引起行業分析師關注，因為此類晶片的設計通常涉及受美國出口限制的技術。

據南華早報報導，雖然長鑫存儲尚未提供樣品產品，但這家公司提供的下一代記憶體晶片生產的證據。台灣華邦電子的儲存晶片專家Frederick Chen表示，長鑫存儲的進展證據「令人印象深刻」，因為代表這家公司距離最先進的研究和技術並不遙遠。

長鑫存儲發表聲明稱，該論文「描述了與 DRAM 結構和4F2設計可行性相關的基礎研究」，「與長鑫存儲當前的生產工藝無關」，暗示該設計還遠未成為一種適銷的產品。「任何關於長鑫存儲違反美國制裁或出口管制的指控都是完全不準確的。」該公司的出口管制專家表示，「我們堅信，IEDM尋求促進的思想自由流動對於行業的創新和發展至關重要。」

長鑫存儲兩周前發布已生產出中國首款低功耗雙倍數據速率5（LPDDR5）DRAM晶片，縮小了與南韓三星和SK海力士等領先廠商的差距。

在與中國不斷升級的科技戰中，美國工業和安全局10月對關鍵晶片製造所需的一系列設備，設定了更高的出口標準，包括曝光、蝕刻、沉積、注入和清潔，加倍限制中國的晶片製造能力。

總部位於舊金山的半導體研究公司SemiAnalysis 的首席分析師帕特爾（Dylan Patel）在社交平台X上的一篇貼文中稱，長鑫存儲在最先進的晶體管架構方面取得的進展「打破了美國的制裁」。

長鑫存儲成立於2016年，代表中國在全球DRAM市場追趕南韓記憶體晶片巨頭三星電子、SK海力士以及美國美光科技的最大希望。與此同時，彭博引述知情人士的話報導，由於市場狀況波動，長鑫存儲將推遲首次公開募股（IPO），並將考慮以約人民幣1400億元（約195.6億美元）的估值籌集資金。