中國攻第3代半導體有斬獲 去年碳化矽專利申請占全球7成

法國市場研究機構KnowMade最新報告顯示，2021至去年間，中國參與者公開的第三代半導體─碳化矽（SiC）發明專利數量增加約60%，是全球主要國家當中增長較快的，同時也是專利申請量最多的，單就去年來看，在全球碳化矽專利申請中，有超七成都來自中國。

芯智訊報導，中美貿易戰的持續影響下，在最近的第三代半導體材料碳化矽專利申請量增長方面也發揮了一定的作用，推動眾多企業在全球建立更當地化的碳化矽供應鏈，尤其是在中國。

KnowMade報告表示，自2021年來，與碳化矽裝置相關的專利申請出現有趣的變化。

2023年公開的碳化矽發明專利數量較2021年高出50%以上，同時，一些現專利持有人還擴大其碳化矽發明的覆蓋範圍。

隨著碳化矽功率裝置在電動車（EV）中大規模採用的前景，碳化矽公司開始在該產業的戰略區域申請愈來愈多的專利。

同時，快速增長的碳化矽市場幾家先驅已加速其專利活動，料碳化矽產業將有許多挑戰者進入，而「專利可在競爭激烈的環境中維護碳化矽公司的市場地位方面發揮關鍵作用」。

值得注意的是，中國一直在鼓勵企業的專利活動，導致近年出現大量的專利申請。

在2021年至去年期間，中國公告的碳化矽發明專利數量升約60%，是全球主要國家當中增長最快的，也是專利申請量最多的。若僅看去年，在全球碳化矽專利申請當中超70%都來自中國。

此外，報告進一步指出，參與碳化矽研發活動的中國企業和研究機構的數量也在快速上升，自前年來，中國擁有碳化矽襯底專利的公司增加25個，擁有碳化矽裝置專利新公司50個。「這種密集的本地生態系統使中國能迅速解決碳化矽晶圓產業的短缺問題。」然而，KnowMade警告，隨碳化矽晶圓的供應過剩，中國在碳化矽晶圓市場帶來激烈的價格競爭，這也為碳化矽晶圓供應商提供更有理由利用專利來對抗其主要競爭對手。