韓媒：傳統DRAM與NAND市場明年上半年續遇寒流

南韓媒體報導，由於需求復甦疲軟、中國業者持續擴增產能，專家預測，通用型記憶體市場的「寒流」將一直延續到明年上半年，市況依然不振。

BusinessKorea報導，由於全球科技巨擘競相投資人工智慧（AI）資料中心，高頻寬記憶體（HBM）的需求與價格都已大漲，相較下，去年10月開始反彈的通用型記憶體晶片市場，在今年下半年急遽放緩，原因是智慧手機和個人電腦（PC）等資訊科技（IT）產品的消費者需求復甦疲弱，加上中國廠商擴張產能，加劇記憶體晶片市場的兩極化。

長鑫存儲（CXMT）與晉華集成電路（JHICC）的DDR4 8GB DRAM價格已是市價的一半，介於0.75-1美元之間。11月用於PC的DDR4 8GB DRAM平均固定交易價格，比10月暴跌20.59%至1.35美元。

南韓半導體產業預測，記憶體晶片市場的兩極化現象在明年上半年之前都將加劇。全球投資銀行業者和市調機構都預期，通用型記憶體市場的「寒流」將一直延續到明年上半年。

在DRAM領域，中國的的記憶體供應持續增加，NAND快閃記憶體領域則仍有許多不利因素待化解，例如企業級固態硬碟（SSD）的需求減慢。

摩根士丹利（大摩）指出，來自中國記憶體晶片廠的競爭加劇，可能對通用型記憶體的長期獲利能力造成負面衝擊，明年上半年將是今年下半年市況的延續。長鑫存儲的產能明年預料將擴增至每月30萬片晶圓，相當於美光產能的85%。

價格展望也相當黯淡。TrendForce已擴大明年第1季的合約價格跌幅預估，最新預測為看跌13.4%，甚於原估的3.1%跌幅，第二季的預估跌幅也從3.2%調整為8.4%，預料要到明年第3季才會回升，價格看漲約12%。

NAND快閃記憶體也依循類似趨勢，三層式512GB NAND明年第1季的合約價格跌幅預估，從原估的13.7%擴大到21.4%，第2季跌幅預測也從3.7%擴為9.8%。

南韓Kiwoom證券公司研究員朴裕亞（音譯）說，從今年第4季到明年第2季的供應成長率都將超過需求成長率，原因是供應商的DRAM稼動率提高、以及長鑫存儲的產品出貨量增加。

明年的記憶體晶片需求預料將集中在HBM等AI記憶體晶片，今年HBM占全球DRAM市場的比重已升至21%，遠高於去年的8%，明年預料再攀至34%。輝達正考慮在明年第3季推出下一代AI加速器產品「Rubin」，將配備八組第六代HBM（HBM4）。

SK海力士計畫明年初供應業界首見的16層HBM3E產品，明年下半年推出12層HBM4產品。三星則計畫根據10奈米等級的第六代DRAM，量產HBM4。