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傳三星減少引進高數值孔徑EUV 與ASML合作陷停滯

三星上月初告知ASML,計劃減少引進下代高數值孔徑極紫外光微影設備(High NA EUV)。(路透)
三星上月初告知ASML,計劃減少引進下代高數值孔徑極紫外光微影設備(High NA EUV)。(路透)

韓媒BusienssKorea報導,三星電子去年12月與半導體製造設備龍頭艾司摩爾(ASML)簽署備忘錄,要打造極紫外光(EUV)共同研究中心。不料六個月後,這個合作計畫就大幅縮水。

三星上月初告知ASML,計劃減少引進下一代的高數值孔徑極紫外光微影設備(High NA EUV)。三星在雙方高層會議時,傳達此一決定,預料很快會開始調整相關合約。

三星原本規劃,未來十年要添購超過三台的下代EUV,包括EXE:5200、EXE:5400、EXE:5600。但如今只會引進EXE:5200,並將重新考慮後續機種的採用。副會長全永鉉(Jun Young-hyun)主掌裝置解決方案部門(DS)後,重新檢討了現行項目和投資,做出此一決策。

業內人士說,三星決定減少引進EUV後,在華城打造研究中心的相關程序完全喊停,共同研究中心會遷往其他地方,或是取消,將在未來討論決定。

然而,三星高層表示,引進High NA EUV的計畫並未改變,研發中心將在最適合地點建造。

三星與ASML合作,被認為是取得先進EUV設備的策略。全球只有ASML一家公司能生產尖端EUV機台。如果雙方減少合作,預料將影響南韓本土的半導體生態體系與有關產業。

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