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日媒拆解華為手機:中晶片技術 僅落後台積電3年

日本半導體調查企業拆解華為手機後表示,中國已經迎頭趕上,晶片技術實力僅落後台積電三年。圖為民眾在福州一家華為手機專賣店挑選手機。(中新社)
日本半導體調查企業拆解華為手機後表示,中國已經迎頭趕上,晶片技術實力僅落後台積電三年。圖為民眾在福州一家華為手機專賣店挑選手機。(中新社)

美國一直在限制中國發展高階晶片技術,對華為的出口禁令更是已經持續了5年。然而日本半導體調查企業拆解華為手機後表示,中國已經迎頭趕上,晶片技術實力僅落後台積電3年。

日本經濟新聞報導,日本半導體調查企業TechanaLye比對了華為兩款手機晶片,分別是2024年的最新款旗艦機Pura 70 Pro和2021年的一款智慧型手機。

該社長清水洋治表示,Pura 70 Pro的晶片處理器「麒麟9010」由海思半導體設計、中芯國際採用7奈米製程量產;2021年的晶片處理器「麒麟9000」同樣由海思設計,並由台積電採用5奈米製程量產。儘管這兩款晶片的製程不同,最終產出的晶片面積卻沒有顯著差異,處理性能也基本相同。

清水洋治指出,這代表中芯國際的7奈米製程已經能夠發揮與台積電5奈米製程相當的性能,顯示中芯國際的技術實力已經縮小到僅落後台積電3年的程度,同時這也凸顯了海思在設計能力上有更進一步的提升。

儘管中芯國際在良率上與台積電仍存在差距,清水洋治認為,在尖端技術的競爭中,台積電想要遠遠甩開中國企業變得更加困難。

除了技術上的進步外,清水洋治還指出,Pura 70 Pro除了儲存晶片和感測器之外,還搭載了支持拍攝、電源、顯示器功能等共37個半導體,海思負責其中的14個、其他中國企業則分擔了18個,非中國製的晶片僅有SK海力士的DRAM和博世的運動感測器等5個,換句話說,86%的半導體來自於中國。

國際半導體產業協會指出,中國為了應對美國的管制措施,正在積極擴大成熟製程晶圓產能,預計今年中國晶圓廠整體產能年增14%,到2025年這一數字將再增長15%,約占全球整體晶圓產能的30%。

清水洋治總結:「到目前為止,美國政府的管制只是略微減慢了中國國的技術創新,但推動了中國半導體產業的自主生產。」

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