中嗆報復沒用？美日晶片新禁令將達陣

英國金融時報報導，美國與日本已接近達成一項協議，限制對中國晶片業的關鍵技術輸出，即便日方擔憂北京當局揚言報復日企，而美方則希望11月大選前敲定這項協議。

報導說，白宮打算在11月總統大選前公布新的出口管制措施，包括要求非美國企業需取得許可，才能出售有助於中國科技業的產品。

熟知華府與東京磋商的人士指出，目前美國與日本即將取得突破，不過一名日本官員示警，由於擔憂中方報復，磋商情況仍「相當脆弱」。

華府希望使中國更不易取得關鍵的晶片製造工具，凡此種種限制將對半導體設備製造商荷蘭艾司摩爾（ASML）與日本東京威力科創（Tokyo Electron）造成最大影響。

美國也要求ASML與東京威力科創限縮維修服務，包括軟體更新、工具維護，此舉將相當不利中國。

上述磋商重點在於協調三國的出口管制規定，如此日本與荷蘭企業將不會受限於美國的「外國直接產品規則」（FDPR）。荷蘭一名人士形容FDPR猶如「外交炸彈」。

日本擔憂中國的報復可能包括禁止重要礦產出口，尤其是鎵和石墨，迫使若干日本商業客戶尋求含有上述礦產產品的替代供應商。

日本官員表示，近幾個月來，各方日益擔憂，若東京當局對美國讓步太多，中方將以牙還牙，尤其擔心北京當局將限制關鍵礦產出口。

一名了解美日荷三方磋商的人士表示，雖然敲定協議「不容易」，不過美國務必審慎，不應採取導致日本與荷蘭棄絕美日荷三方機制的舉措。

美日荷三方機制是在美國前總統川普主政時期建立，有助於協調出口管制。

中製65奈米晶片 硬扯8奈米

另外，中國工信部9月初公布的「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知中，列出全新自製DUV曝光機，分辨率為≤65nm，套刻精度≤8nm，讓許多中國民眾樂翻，高喊中國突破美國封鎖，「可生產8奈米晶片」。

沒想到卻遭中外媒體打臉，認為此款新的DUV曝光機僅能生產65奈米或以下晶片，有人看到「套刻≤ 8nm」就認為這是8奈米曝光機，令人啼笑皆非。

套刻精度則指的是每一層曝光層之間的對準精度。晶片的製造過程，是將很多層的曝光圖案一層一層的實現，並堆疊而成。一層圖案曝光完成後，需要再在上面繼續進行下一層圖案的曝光，而兩層之間需要精準對準，這個對準的精度就是套刻精度，並不是指能夠製造的晶片的工藝製程節點。

科技媒體「WccfTech」則認為，中國新公布國產DUV曝光機至少落後美國15年，因為荷蘭半導體設備巨擘ASML的客戶，至少在2009年就可以透過ArF曝光機生產晶片。