韓媒：長江存儲NAND快閃記憶體技術 只差南韓2年

中國對記憶體產業的支持力度加大，過去幾年取得了長足進步，南韓「韓國商業」（Business Korea）報導，在NAND 快閃記憶體領域，中國企業的長江存儲，與韓企的差距已縮短至兩年，雙方差距正在快速地消失中。

報導指出，中國在DRAM 技術方面與三星、SK 海力士等領先企業仍存在五年以上的差距。報導分析，其中主要原因在於NAND快閃記憶體技術的壁壘相對低一些，使得中國追趕速度不斷加快，因此差距縮小得更為明顯。

其中，中國最大的記憶體半導體企業長江存儲，在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，發布了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第4代3D TLC快閃記憶體晶片，名為X3-9070。

長江存儲也領先於三星和SK海力士，實現了更高層數的NAND快閃記憶體晶片的量產，回擊了外界質疑的聲音。

去年一年裡，中國存儲晶片業者來自中國政府與官方主導投資基金投入近500億元人民幣（約70.4億美元），持續且大量的資金投入支援確實能取得效果，一方面是技術的追趕，另一方面是更快的市場滲透。

隨著半導體電路小型化逼近極限，中國可能會抓住另一個縮小技術差距的機會，就是先進封裝技術。這種高性能、多晶片的封裝被視為突破半導體小型化限制的關鍵。

目前中國是全球第二大封裝技術市場，有著較為完善的生態系統，長電科技、通富微電和華天科技都進入了全球10大半導體封裝企業的前10名，而韓國沒有一間公司出現在榜單上。

前不久長江存儲在美國加州法院，控告美光科技及全資子公司美光消費產品公司侵犯其專利。長江存儲表示，美光使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競爭，並獲得和保護市佔。

報導指出，這等於是直接展示了中國廠商在NAND快閃記憶體上突飛猛進的進步成果。