不畏美國制裁 長江存儲加速轉用中國產半導體

半導體專業分析機構TechInsights稱，在美國於2022年10月限制先進半導體設備對華出口，並於2022年底將中國3D NAND Flash製造商長江存儲列入實體清單近兩年之後，長江存儲仍在穩步發展，並已成功採用中國國產半導體設備取代了部分美系半導體設備。

彭博報導稱，長江存儲已轉向境內的半導體設備應商，例如專門從事蝕刻設備的中微公司（AMEC）、專注於沉積和蝕刻設備的北方華創（Naura）、沉積設備供應商拓荊科技（Piotech）。

TechInsights稱，雖然長江存儲仍繼續依賴艾司摩爾（ ASML ）和科林集團（Lam Research）等外國供應商提供關鍵工具，但中國國產半導體設備供應商越來越多地承擔了生產流程的大部分。

近年來，長江存儲推出了具有232層和高速介面的 Xtacking 3.0 和 Xtacking 4.0 架構，能夠與美光、三星和 SK 海力士等全球領導者進行競爭，並具有足夠的競爭力，可以為世界上一些最好的 SSD 提供支持。

儘管取得了這些進展，但長江存儲仍面臨技術障礙。最新使用中國國產半導體設備生產的3D NAND晶片比早期版本少了 70 層，而層數的減少主要因為使用中國國產設備導致製造過程中缺陷增多、良率降低。

不過，長江存儲透過電子郵件回應稱，正在不斷提高產品性能，最新設備中層數的變化與任何特定設備的產量無關。

可以肯定的是，隨著中國國產設備製造的3D NAND 的缺陷數量減少和良率提升，預計長江存儲將持續增加中國國產設備製造的3D NAND 的層數。

值得注意的是，長江存儲最近甚至簽署了一項協議，為美國Patriot Memory 的一款高階PCIe Gen5x4 SSD提供 3D NAND，該 SSD 承諾以低價格提供高性能。

為了反擊來自美方的持續打壓，長江存儲正透過將美國競爭對手美光科技告上法院，來維護自身利益。

今年7月，長江存儲在美國加州北部地方法院，再度對美光提告，指控這家美國公司侵犯11項專利，涉及3D NAND Flash及DRAM產品。長江存儲要求法院勒令美光停止在美國銷售侵權的記憶體產品，同時支付專利使用費。

而在更早之前的2023年11月，長江存儲還在美國加州北區地方法院，對美光及子公司美光消費類產品事業部提告，指控它們侵犯8項與3D NAND Flash相關的美國專利。

此外，今年6月，長江存儲還在美國加州北區聯邦地區法院提告，指控受美光資助的丹麥諮詢公司Strand Consult及其副總裁雷頓（Roslyn Layton）散布虛假信息，破壞長江存儲的市場聲譽和商業關係。