涉嫌對中洩漏晶片技術 三星前高管和前首席研究員被捕

綜合韓聯社和朝鮮日報報導，首爾警察廳產業技術安全偵查隊6日消息指出，66歲前三星電子常務、前SK海力士副社長崔珍奭（音譯），及60歲前首席研究員吳某，涉嫌對中國洩漏晶片核心技術被捕。

崔珍奭曾任三星電子常務、海力士半導體（現SK海力士）副社長，吳某則曾任三星電子首席研究員。他們涉嫌違反「產業技術法」和「防止不正當競爭及商業秘密保護法」，將生產20奈米製程晶片所需的溫度、壓力等700多個工藝流程圖，洩漏給中國成都高真科技公司進行產品研發。據悉，高真科技公司是崔珍奭2021年獲得投資後創立，而吳某出任該公司高管。

南韓警方早在今年1月申請逮捕吳某但被駁回。警方之後補充偵查，再次提請逮捕，並一同逮捕崔珍奭。首爾中央地方法院日前批准逮捕。警方計畫具體調查泄密過程，及是否因此獲取經濟利益等。

不過，朝鮮日報指出，崔珍奭去年6月就曾因涉嫌竊取三星電子晶片工廠設計圖，並意圖開設20奈米製程動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片的「三星電子複製工廠」而被拘留，於去年11月保釋出獄。