來自台灣 半導體專家李宇君獲德州理工傑出研究獎

德州理工大學(Texas Tech University, TTU)日前頒發學校傑出研究獎(Barney E. Rushing Jr. Faculty Distinguished Research Award)，來自台灣的李宇君講座教授眾望所歸，從校長Lawrence Schovanec手中接獲獎座，這項殊榮見證他在該校任職16年來，不論是研究、教學和創新均有令人讚佩的卓越表現。

李宇君教授(Prof. Donald Y.C. Lie)1987年自國立台灣大學電機系畢業，隨即來美深造，於 1995年獲得加州理工學院(Cal Tech)電機工程博士學位。他在多家國際知名的科技公司任職達15年，歷經Motorola、Rockwell International、Silicon-Wave（現為 Qualcomm）、IBM、Microtune Inc.、SYS Technologies和Dynamic Research Corporation(DRC)等企業之研發與管理職位。2001年至2007年期間，他在IBM任職時同時擔任聖地牙哥加大(UCSD)電機系的客座講師，並隸屬於無線通信中心，共同指導博士生。

不過李教授醉心於學術研究與教學，自2007年起任教於德州理工大學電機與計算機工程系，是盧克修校董講座教授(Keh-Shew Lu Regents Chair)，也是該校醫學中心外科系的兼任教授。他的研究量能為學校帶來數百萬美元的研究經費，得以支持多位博士生。李宇君和他的學生已獲得22項國際會議最佳研究生論文獎和最佳論文獎。李宇君於2018年入選俄亥俄州美國空軍研發實驗室暑期教師獎學金計畫，同年獲台灣國立陽明交通大學(NYCU)聘任為電機學院講座教授迄今。

李宇君是國際電機電子工程師學會(IEEE)院士、美國國家發明家科學院(National Academy of Inventors, NAI)資深會員、美國科學研究榮譽學會(Sigma Xi)會士和美國臨床腫瘤學會（ASCO）會員。李宇君本年獲得德州理工大學傑出研究獎。在此之前亦獲得包括美國海軍 SPAWAR SSC聖地牙哥「中心團隊成就獎」、DRC卓越銀獎、IBM「FIRST」主席專利獎、 Rockwell International的「FIRST」工程獎等。

在半導體研究方面，李宇君是Si/SiGe異質結構的專家，在Rockwell International公司先後開發出0.8、0.6、0.5、0.35、0.25、0.18、0.15微米先進CMOS電晶體先進技術及工藝模型，李宇君最獨特和極其重要的貢獻是在矽(silicon)技術中開創出用於無線通信應用的高性能、高功率、高效率、高線性射頻和微波功率放大器和系統芯片，成功設計出在國際上銷售數以百萬計的商業通信產品。

2009年起，李博士與他指導的學生Jerry Lopez博士共同創立Noise Figure Research公司，專注於最先進的RF-SoC技術，該公司贏得無數獎項和合約，並擁有超過50名員工。李博士曾撰寫260篇論文和書籍章節，擁有七項美國專利。值得一提的是他帶領研究團隊所發表的三篇論文，在IEEE Xplore™數百萬篇論文中，入選下載次數最多的前百大論文，史丹佛大學將他列為全球前2%研究論文被引用次數最多者，是世界級頂尖科學家。

李宇君教授於頒獎典禮當天，在兩個兒子Paul和Titus陪同下，共享這份榮譽。這位半導體科學家接受訪問時，鼓勵青年學子：「別只追求金錢或高薪工作，也勿滿足於眼下擁有的小確幸，要為生活和研究尋求更大的目標，每天在生命中做正確的事，大家共同努力，可以找到許多改善他人和我們自己以及下一代生活的好方法和新技術。」

德州理工大學位於美國德州拉伯克市，成立於1923年，最初稱為德州技術學院(Texas Technological College），1969年改為現今校名。